2024達沃斯論壇上，英特爾CEO基辛格表示：在美日荷的聯合限制之下，中國與全球頂尖晶圓廠的技術差距爲10年，未來全球50%的芯片將由美國企業制造。

基辛格稱：由于芯片産業政策原因，導致芯片制造業集中在亞洲國家，而美國爲了提升本土的芯片制造業實力，推出了《芯片與科學法案》，試圖改變這一被動局面。

該法案計劃提供527億美元的補貼，以吸引各國芯片産業轉移至美國，同時限制接受補貼的芯片企業在中國投資。其中，392億美元直接用于芯片産能的擴建。

根據美國媒體的報道，英特爾、美光、德州儀器、三星、台積電分別獲得32%、21%、14%、13%、10%的芯片補貼，這幾大企業占了90%，剩余10%分給其他企業。

如果按照這個分配比例，英特爾將拿到168億美元左右，美光拿到111億美元左右，德州儀器分到74億美元，三星分到69億美元，而台積電分到53億美元。

看來，美國的芯片法案還是向著美國本土企業，三星、台積電這些企業到底只是幹兒子啊。

2023年，美國、日本、荷蘭相繼出台了半導體設備出口限制政策，在原來限制EUV設備的基礎上，又增加部分浸潤式DUV設備。

簡單來說，就是限制用于制造14nm以下邏輯芯片的設備、16nm DRAM芯片的設備、128層NAND Flash的設備，這些設備的出口，必須要拿到出口許可證。

設備的限制，導致中國芯片只能制造14nm、7nm芯片，而台積電、三星、英特爾則開始向3nm、2nm甚至更精密的芯片進軍，不出意外的話，台積電的2納米芯片將應用于2025年上市的iPhone 17。

那麽中國芯片企業呢？真的如基辛格所說，在技術上落後10年嗎？

芯片技術涉及的面非常廣，覆蓋設計、制造、封裝、EDA工具、半導體設備、半導體材料等。

如果把中國芯片比作一個木桶，而每一個環節比作是木桶上的一塊木板的話，結果就會如下所示：

我們稱之爲木桶原理，也就是說木桶能夠裝多少水，不是由最長的木板決定，而是由最短的那塊板決定的。

舉個最簡單的例子，華爲能夠設計出3nm手機SoC，但事實上華爲手機搭載著最先進的SoC仍然是幾年前的麒麟9000，采用的是台積電5nm制造工藝。

而純國産打造的是麒麟9000S，工藝在7nm左右，就這還是在使用進口設備的前提下。

造成這種尴尬局面的原因，就是因爲我們在半導體設備方面的落後，尤其是光刻機方面。

整個芯片制造需要幾十種設備，最爲核心的大約有9種，分別爲光刻機、蝕刻機、離子注入機、CVD（化學氣相沉積）、PVD（物理氣相沉積）、機械抛光機、金屬蒸發設備、清洗機、檢測機。

光刻機方面，目前實現量産的是上海微電子的90nm光刻機，多次光刻後可以制造55nm芯片，與世界最先進的3nm差距非常大。

刻蝕機方面，國産設備具備一定的優勢，中微半導體公司的刻蝕機已經達到了5nm水平，並且成功進入台積電的産業鏈。

目前正在攻關3nm技術。

但是存儲芯片企業更願意進口泛林集團的設備，畢竟因爲它采用了最新的電刻技術，可以刻蝕出更多的層數。

離子注入機方面，中電科已經實現了28nm工藝制程全覆蓋，可用于28nm邏輯器件、存儲器件、功率器件、傳感器等的制造，勉強算是打破了西方的壟斷。

CVD、PVD方面，國內企業北方華創、拓荊科技、上海盛美也實現了突破，整體替代率達到了13%。

機械抛光機，國內的代表爲華海清科，整體替代率爲20%左右。

清洗機，國內代表爲上海盛美、致純科技，整體替代率爲50%。

檢測機方面，國內有睿勵科學、精測電子、和禦渡，整體替代率達到了9%。

也就是說，九大核心設備方面，我們都實現了國産化，但是精密程度參差不齊，表現最拉胯的依然是光刻機。

光刻機號稱工業皇冠上的明珠，是芯片制造設備核心中的核心，使用率達到了24%。但是，目前光刻機被荷蘭ASML壟斷了。

最頂級的新型高數值孔徑（High NA EUV）的極紫外光刻機，被ASML100%壟斷，頂級的EUV光刻機也被ASML壟斷。

先進的浸潤式DUV光刻機市場份額達到了95%左右。

那麽國産光刻機什麽時候才能達到ASML的水平呢？短期真的很難。

我們以EUV光刻機爲例，近10萬個零部件，3000個精密軸承，2000條線纜，來自全球3000多家供應商，荷蘭本土供應商占比32%左右，北美供應商爲占比27%，亞洲供應商占比27%；歐洲供應商占比14%左右。

中國大陸供應商比重非常小，而且提供的都是一些無關緊要的設備，幾乎可以忽略不計。

這種情況下，我們無法切斷ASML的技術和設備升級，只能快速提升國産配件廠商的技術水平。

目前來看，初步做到了28nm核心部件的替代。

光源由北京科益虹源打造，以准分子激光器爲基礎，得到579nm基頻光，穿過非線性晶體，獲得289.5nm的倍頻激光，進一步得到193nm光源。

雙工作台由清華大學和華卓精科共同打造，可用于28nm光刻機。

浸沒系統由浙江啓爾機電打造，溫度穩定性誤差達到了0.001度，僅次于ASML和日本尼康，符合國際先進水准，可以滿足28nm光刻技術。

光學鏡片：由中科院長春光機所制造，工藝方面達到了28nm光刻機的要求，但與德國蔡司差距巨大。

核心零部件攻克了，就意味著國産28nm光刻機不遠了。

但是，ASML第一台浸潤式光刻機是2004年制造出來的，如果僅從時間節點看的話，差距達到了20年。

而ASML的第一台EUV光刻機，是在2014年發布的，距今也已經有10年時間了。

如果從我們的最短板的光刻機來看的話，差距的確達到了10年以上，也就是說英特爾CEO基辛格說的是對的。

但是，這個10年，是中國一家以自己最大的短板，對全球最領先的技術，看起來很不公平，但世界就是如此。

基辛格認爲，未來全球50%的芯片都將由美國晶圓廠制造，這可能嗎？

受益于美國《芯片與科學法案》527億美元的補貼，台積電、三星、英特爾、美光等，將會加大在美國擴産的力度。

比較有名的，就是台積電投資400億美元在美國亞利桑那州建造兩座晶圓廠，一座爲5nm晶圓廠，另一座爲3nm。

原本計劃2024年投産，但現實恐怕2025年都未必能實現。

原因很多，主要包括：1、基礎設施落後，短期內無法滿足投産需求；2、美國當地沒有熟練的技術工人，去其他地方招聘，又受到美國工會阻攔；3、美國工人太難管理；4、補貼不到位。

台積電就是最好的例子，三星去建廠只會更難，甚至英特爾、美光這些本土企業都不會順利。技術、設備上沒問題，但實際操作起來阻力重重。

反觀我們國産芯片，擁有最好的基礎設施，最優秀的技術工人，補貼也不存在問題。唯一的難題就是缺少半導體設備。

好在國內芯片企業在去年瘋狂囤購了大量的半導體設備，完全可以滿足未來幾年的需求。

分析機構預測，2023年中國芯片産能爲760萬片/月，預計2024年新增18個項目，産能將達到860萬片/月，未來5年實現翻番，達到1500萬片/月。

5年時間，國産28nm光刻機完全能夠實現量産、技術升業配套，國産7nm生産線打磨完畢，依然會留住更多的芯片代工份額。

而美國則需要徹底改變他們的工作態度，讓一線的技術工人，甚至整個國家“卷”起來，才能夠將芯片産能遷移至美國本土。

996，每天工作12小時，周末輪班，美國工人能做到嗎？顯然不能。

爲此，英特爾計劃采用 AI系統代工廠，來引領半導體的未來之路，但是美國工會不是吃素的，取代美國工人將會遭到巨大的反噬。

總的來說，中國芯片技術落後是不爭的事實，我們要坦然接受，至于落後多少年，其實並不重要，因爲未來中國芯片將成爲世界不可或缺的重要一環。

至于美國制造全球50%的芯片，姑且當個笑話看看得了。因爲習慣了咖啡、旅遊的美國工人，甯願走上街頭罷工，也不會在工廠加班。

我是科技銘程，喜歡就點個贊吧！