近日，SEMI（國際半導體産業協會）發布了一則數據，顯示2023年全球半導體設備銷售額達到了1062.5億美元，同比下滑了1%。但是中國大陸和北美地區的銷售額逆勢增長。

其中，中國大陸購買了全球約1/3的半導體設備，總價值達到了366億美元，同比增長30%，北美市場銷量達到了120.5億美元，同比增長15%。

荷蘭ASML、美國應用材料、泛林集團、日本東京電子等設備企業受益明顯。

光刻機龍頭ASML全年營收達到了275億歐元，同比增長30%，淨利潤達到了78億歐元同比增長39%，中國區業務實現了翻番。

美國應用材料2023年營收264億美元，淨利潤68.5億美元，實現了小幅增長，中國市場貢獻了45%的業績。

日本半導體設備出口額達到了242億美元，下滑了16.6%，但是對中國大陸出口逆勢增長20.5%。

可以看出，中國企業購買了全球最多的半導體設備，但是這些設備基本都來自美、日、荷三國，讓這三個國家賺的盆滿缽滿。

根據公開數據，全球半導體設備市場上，美國占據41.7%的份額，日本占據31.1%，荷蘭占據18.8%，三者合計把控了91.6%的市場份額。

全球前十設備廠商分別是：荷蘭ASML、美國應用材料（AMAT）、美國泛林集團（LAM）、日本東京電子（TEL）、美國科磊（KLA）、日本迪恩士（Screen）、荷蘭公司ASM國際（ASMI）、日本公司愛德萬測試（Advantest）、日本迪斯科（Disco）、美國公司泰瑞達（Teradyne）。

清一色的美、日、荷企業。什麽意思，也就是說，只要你造芯片，發展芯片業務，就離不開這10家企業，就不得不購買他們的設備。

台積電、三星、英特爾這些芯片巨頭，也不例外，沒有設備，同樣要歇菜。

我們的中芯國際、華虹半導體、長江存儲、長鑫存儲想要擴大産能，建設新的生産線，首先要做的就是購買到足夠的半導體設備。

這些企業不缺錢、不缺工程師、不缺技術工人，甚至不缺制造技術，但是對海外設備嚴重依賴。

中芯國際海外設備占比達到了90%左右，其中，美國半導體設備的占比達60%，其余大部分爲荷蘭、日本、韓國設備，而國産設備的占比僅爲10%左右。

長江存儲美、日、荷設備占比75%，國産設備不足16%。

美國正是看到了這一點，所以在2023年和日本、荷蘭先後出台了半導體設備出口管制政策，對先進的DUV設備及配件，全部的EUV設備及配件實施出口管制。

日本將高端半導體制造設備等23個品類加入到出口管制對象，並于2023年7月23日正式生效。

2023年10月17日，美國商務部工業和安全局（BIS）發布了先進計算芯片、半導體制造設備以及超級計算應用的出口管制措施。

荷蘭半導體設備出口管制條例于2024年1月1日生效，ASML表示根據相關規定，需要拿到荷蘭政府的出口許可證才能發運最先進的浸潤式DUV系統（NXT：2000i及後續推出的浸潤式光刻系統）

在這種情況下，中國芯片制造廠商想要保證生産線正常運行，建造新的晶圓廠，就必須在禁令生效前購買到足夠的半導體設備。

因此，我們不得不在2023年進口大量的半導體設備，結果一不小購買了全球1/3的半導體設備。

這些半導體設備壽命有限，一般在5-10年左右，在這有限的時間內，我們需要完成7nm國産設備的研發和商用，否則一旦設備到了報廢年限，我們的芯片産能將會受到嚴重的制約。

那麽問題來了，幾十、上百種相關設備，我們能夠在5-10年內全部商用嗎？

具體來看：

晶圓制造最需要的九大核心設備分別爲：光刻機、刻蝕機、離子注入機、CVD、PVD、化學機械抛光機、塗膠/顯影機、清洗設備、檢測設備。

刻蝕機已經做到了5nm，代表企業爲中微半導體，已經進入了台積電的産業鏈，未來需要在刻蝕的深度、寬度上下功夫，適應存儲芯片的需求，就可以完全取代進口。

清洗設備代表爲盛美上海、致純科技，具備了完善産業鏈和先進的技術，國産替代做到了50%，可以在預定時間內實現7nm芯片工藝。

機械抛光機主要用來平整硅片表面，祛除硅片表面的不平整部分。國內代表企業爲華海清科，替代率爲20%，可以在預定時間內實現7nm工藝。

國産塗膠/顯影機主要用來完成晶圓的光刻膠塗覆、固化、顯影、堅膜等工藝過程，它直接影響了電路的後續曝光質量。

代表公司爲芯源微和沈陽芯源，目前已經達到了28nm工藝水平，14nm設備正在研發過程中，距離7nm還有一段距離。

檢測設備主要用來檢測芯片的電性能、光學性能等各種性能指標，保證芯片質量和穩定性。

代表企業爲睿勵科學、精測電子、中科飛測等，國産替代率爲9%，實現7nm國産化，還需要努力。

CVD、PVD設備，主要用來制造薄膜沉積，代表企業爲北方華創、拓荊科技，雖然設備工藝複雜，技術要求高，但已經做到了10%的替代率。

而最爲關鍵、最爲薄弱的設備是離子注入機和光刻機。

離子注入機主要負責向晶圓內注入各種元素，達到改變材料電性的目的，從而達到制造各種不同芯片的目的。

在該領域，美國公司拿下89%的市場份額，處于絕對壟斷地位，國內設備公司中電科到2023年6月才攻克28nm離子注入機。

那麽能否在5年內攻克7nm離子注入機呢？這仍是個未知數。

最爲關鍵的仍屬光刻機，在整個芯片制造環節使用率達到了24%，可以說是核心設備中的核心。

但是目前我們最先進的商用的光刻機分辨率爲90nm，制造商爲上海微電子，這樣的光刻機主要用來制造90nm以上的芯片。

按照正常的進程，我們先要解決28nm光刻機，然後再攻克7nm光刻機。

根據目前掌握的芯片，國産28nm光刻機已經制造出樣機，即將與大家見面。

它的關鍵部件均由國內企業制造。

光源由北京科益虹源打造、雙工作台由清華大學和華卓精科共同打造，浸沒系統由浙江啓爾機電打造、光學鏡片由中科院長春光機所制造。

盡管國産設備進步很快，但因爲底子薄，基礎差，短期內無法做到完全取代進口，所以我們需要大量進口海外設備，保證我們的芯片需求。

畢竟每年25000億的芯片進口額，高端芯片出口限制對我們的經濟、科技，以及未來發展已經産生了影響。

未來隨著國産半導體設備不斷攻克，海外設備需求量會大幅下降，ASML、應用材料、東京電子的好日子快要過完了。

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