媒體報道，芯片代工龍頭台積電獲得來自荷蘭ASML的高數值孔徑極紫外光刻機，旨在打造更先進的2nm芯片。

但是有意思的是第一個拿到這款光刻機的廠商不是台積電，而是英特爾。

早在2023年底，ASML就向英特爾出售了第一台高數值孔徑（High-NA）極紫外光刻機。這台光刻機代表了芯片制造技術的重要進步。

它的數值孔徑從之前的0.33提升到了0.55，這一提升使得光刻機能夠實現更小的分辨率和更高的光刻精度，可以制造出2nm，甚至1nm以下的芯片。

ASML直言，高數值孔徑極紫外光刻機可以制造1nm芯片，可以在有限的晶圓面積上光刻出更多的晶體管，非常適合AI芯片的制造。

英特爾作爲十幾年的芯片霸主，在PC時代，全球任何一家芯片企業都無法與其比擬，但隨著移動數字時代的到來，這一切發生了變化。

蘋果作爲智能手機的領導者，在手機芯片叠代中也是最積極的，早期的蘋果曾找到英特爾，希望其可以代工A系列仿生芯片，但被英特爾拒絕了。

之後，我們也知道了，蘋果找到了台積電爲其代工芯片，這一決定成就了雙方。台積電在蘋果的助力下成爲了全球領先的晶圓代工企業，而蘋果拿到了智能手機85%的淨利潤，成爲了智能手機的領導者。

2016年，台積電在10nm、7nm工藝上取得重大進展，在工藝制程上擊敗了英特爾，2017年，英特爾又被三星超越，結束了30年的芯片霸主。之後，台積電又把芯片制程叠代至5nm、3nm。

這一系列變化，讓英特爾感到前所未有的壓力，英特爾內部開始出現了一些聲音：要做晶圓代工業務。

2021年，英特爾晶圓代工部門開始獨立運行，財務報告也開始獨立審核。英特爾的目標是在2030年成爲繼台積電之後全球第二大晶圓代工廠，言外之意是要在幾年內超越三星。

英特爾與台積電的代工之爭。

英特爾的工藝制程命名與台積電有些不同，按照順序依次爲10nm、intel7、intel4、intel3、intel 20A、intel18A。

intel4相當于7nm工藝，intel3相當于5nm工藝，2024年發布的intel20A可等效于台積電的3nm，2025年計劃發布intel18A，相當于台積電2nm工藝。

intel 20A采用GAA技術（全環柵型），這和台積電的方案並不相同，台積電依然延續之前的FinFET（鳍式場效電晶體）技術。

GAA技術號稱能夠延續“摩爾定律”的新路線，它采用特殊的溝道設計，GAA納米線可以被柵極完全包裹，從而使柵極對溝道的控制性能更好，降低電子躍遷。

簡單來說就是：GAA比FinFET的柵極控制能力更好，具有更高的有效溝道寬度，減少電子躍遷幹擾。

其實在3nm工藝上，差別並不會太大，雖然GAA技術看起來更先進，但是新技術也意味著陌生，而台積電在FinFET技術上經驗積累甚多，雖然技術方面有些落後，但憑借熟練的工藝，同樣可以取得不錯的效果。

可以說，在3nm工藝上，英特爾並不具備優勢，對台積電也構不成威脅，所以英特爾高層將目標瞄准了18A制程。

CEO基辛格透露，客戶對英特爾尖端的18A制程工藝需求旺盛，已有五家客戶承諾選用18A制程芯片，且已完成十余顆以此爲基礎的制造技術試驗芯片。

基辛格還宣稱，代工模式將與産品部門關聯，從而設定更合理的價格體系，在未來4年內推出5種工藝制程，重拾技術領先地位。

管理層對2024年晶圓代工持樂觀態度，並且預計2030年，晶圓代工業務躍升爲世界第二，超越三星，僅次于台積電。

英特爾致勝的關鍵就在2nm以下工藝，爲此英特爾不惜下重金3.8億美元（約合人民幣27億），搶購ASML新一代高數值孔徑EUV光刻機。

希望可以憑借設備的優勢，擊敗競爭對手。

但是台積電也沒閑著，早在2023年7月，台積電就在新竹啓用了全球研發中心，探索2nm甚至1.4nm制程技術。研發中心可容納7000人辦公，這也意味著未來台積電的研發人員將達到7000人。

如今，台積電也購買了ASML的新款光刻機，背靠蘋果這個大金主，英特爾還真不是台積電的對手。

此外，媒體報道，三星也在積極推進2nm芯片工廠，整合優勢資源全力攻關。三星半導體相關負責表示，未來5年內投資萬億元，超越台積電。

台積電、三星、英特爾已經開始在3nm、2nm甚至1nm領域展開了激烈的競爭，“卷制程”時代在ASML新款光刻機的加持下，轟轟烈烈的開始了。

這對中國芯片來說，並不是一件好事，台積電、三星、英特爾都開始代工3nm芯片了，我們還沒跑通7nm産業鏈，差距又要擴大了。

在7nm芯片産業鏈中，我們做到了設計、制造、封裝、EDA工具、材料也可以做出來，唯獨卡在了設備方面。

能夠量産7nm芯片的光刻機基本都由ASML制造，包括新進的浸潤式DUV光刻機，各種型號的EUV光刻機。

但是目前這些光刻機已經對中國企業限購了，花費再多的資金也購買不到，隨著現有光刻機壽命的到期，國産7nm芯片也會遇到危機。

光刻機的壽命通常在5-10年，也就是說我們要在5年內研發出7nm光刻機，加上測試、量産、配套時間，剛好能夠替換海外設備。

經過多年的研發努力，我們也取得了不錯的成績，但是在光學鏡片、光源兩大核心設備方面，依然有所差距。

ASML光刻機的光學鏡片采用了德國蔡司的，蔡司從事光學鏡片研究可以追溯到1846年，在該領域打磨了170多年，而我國的光學鏡片研究從1952年開始，100多年的差距，短時間內追平難度很大。

而極紫外光源源自于美國的EUV LLC聯盟，由勞倫斯利弗莫爾、勞倫斯伯克利、桑迪亞三大國家實驗室，以及摩托羅拉、AMD、英特爾、IBM、德州儀器組成，彙集了數百位頂尖科學家。

現在我們要憑借一己之力攻克多項核心技術，替代幾千家供應商，難度可想而知。

在台積電、三星、英特爾瘋狂的卷3nm、2nm支撐時，我們需要先攻克光刻機難題，這聽起來多少有些沮喪。

但是一旦我們攻克光刻機難題，我將成爲全球唯一一個，真正意義上實現芯片全産業鏈的國家，這一點美國、歐洲都做不到。

創造奇迹一直是中華民族的強項，那麽芯片這個奇迹，我們何時能夠創造呢？

我是科技銘程，歡迎共同討論！