目前全球僅ASML一家廠商，能夠制造EUV光刻機。

而EUV光刻機，又是進入7nm以下工藝時，必不可少的半導體設備，離開EUV光刻機，不可能制造得出來。

而美國一直不准ASML將EUV光刻機賣給我們，所以我們要進入5nm、3nm確實是相當困難的，因爲DUV光源畢竟采用的是193nm波長的光線，多重曝光後的極限光刻，可能也只支持7nm。

所以對于我們而言，必須突破EUV光刻機才行，否則芯片工藝就會一直卡在7nm這個階段。

但要突破EUV光刻機，真的不容易，因爲ASML已經將最爲關鍵的幾大供應鏈，綁在了自己的戰車上，這幾大企業，不會給ASML之外的光刻機廠商，提供技術、零件。

比如EUV光刻系統使用的，蔡司的布拉格透鏡等，只有蔡司能生産，也只賣給ASML，其它廠商買不到。

一定程度上而言，走ASML的路，去造EUV光刻機，相當于絕路，走不通。

而近日，終于有新的路線出現了，這次是科學家們研究出了EUV光刻機中，EUV光源的替代方案，不需要采用現有的這種方案。

現有的方案是EUV-LPP方案，也就是激光等離子體EUV光源，通過二氧化碳激光器轟擊錫金屬液滴，産生EUV，再收集起來用來刻錄晶圓。

新的方案叫做EUV-FEL，後面三個字母不同，代表獲取EUV光線的方式不一樣。EUV-FEL采用的是自由電子激光器，即由電子加速電子束在振蕩器中發光，最後産生EUV光線。

這種方式，不需要二氧化碳激光器，不需要錫金屬液滴參與，裝置簡單一些，且成本也低很多， 功率轉化效率高很多。

更重要的是，EUV-FEL技術産生的光源，不僅僅能夠産生13.5nm波長的EUV光線，還能夠産生6.6-6.7nm波長的BEUV光線。

我們知道光刻機光線的波長越短，分辨率越高，能夠制造的芯片也就越先進。

可見，如果采用這種全新的EUV-FEL技術，不僅能繞開ASML目前給行業構建的壁壘，繞開蔡司等被ASML綁定的供應鏈，還有可能研發出比EUV光刻機更先進的BEUV光刻機。

目前EUV-FEL是一種新技術，美國、日本、歐洲都有機構在研究，也沒有被壟斷的供應鏈，一切都在全新的，可以說大家處于同一起跑線。

也意味著，目前國內也可以研究這項技術，且這種EUV-FEL電子加速電子束技術、振蕩器技術，我們並不落後，我們也完全有希望在這一技術上，實現彎道超車的。

更重要的是，前面已經提到了，這種EUV-FEL技術，可以生産出更短波長的BEUV光源，如果用這種光源來制造光刻機，那就比EUV光刻機更厲害了，那麽我們的光刻機難題，就不再是難題了。

所以加油吧，機會來了，全新的技術，等著我們去突破，一旦攻克，那我們當前半導體産業遇到的一切打壓，都不起作用了。