摘要：複制存儲芯片？

2024年1月起,各個功率半導體公司相繼調價:三聯盛全系列産品上調10-20%、藍彩電子全系列産品上調10-18%、高格芯微全線産品上調10-20%、捷捷微電TrenchMOS上調5-10%等。

5-6月,針對部分中低壓産品,華潤微揚傑等功率大廠相繼有張價/談價動作。

有沒有似曾相識。

還記得去年存儲芯片海外大企業業績還是虧損的時候，也出現了開始漲價，而國內並未直接跟隨，之後國外連續漲價的時候，國內也開始跟隨，存儲芯片也迎來了行業的拐點。

那麽功率半導體是否會複制存儲芯片呢？

其實沒必要去猜測，如果市場走出了趨勢，做跟隨即可，只要弄明白其中的邏輯，才不會慌。

今天跟大家分享功率半導體行業。

功率半導體

功率半導體根據産品形態，功率半導體可分爲器件、IC兩大類。

功率半導體器件根據P/N型半導體組合方式，可分爲二極管、晶體管（三極管）、晶閘管，晶體管又分爲MOSFET、IGBT等。

二極管：主要有SBD（肖特基二極管）、FRD（快恢複二極管）等，SBD適用于小功率場景；FRD適用于較大功率場景。

晶閘管：又稱可控硅，管主要用于高壓領域，如工控、UPS（不間斷電源）、變頻器等。

MOSFET：場效應晶體管，常見類型有平面柵MOS、溝槽柵MOS、超結MOS、屏蔽柵MOS等，主要應用于高頻中低壓領域，主要用于計算機及外設設備、通信、消費電子等，據IHS數據其占全球功率分立器件市場超40%份額。

IGBT：適用電壓較MOSFET高。在中低壓領域，IGBT廣泛應用于新能源車和消費電子。1700V以上的高壓領域，廣泛應用于軌道交通、清潔發電和智能電網等重要領域。

分産品看，英飛淩、安森美占據中國MOSFET市場近一半份額，華潤微占國內8.7%市場，排在第三。

而中國IGBT市場被境外企業所壟斷，國産化率低。

在中高端IGBT器件中，中國90%以上的産品依賴進口，國産化率較低。

所以中國半導體分立器件進口占需求比較高，國産替代空間廣闊。

功率半導體國産替代

功率半導體的國産替代確定性高，在國際形勢嚴峻下，更容易加速國産替代，其表現在：

新能源汽車最大的市場和下遊客戶都在中國，國産替代具備天時地利人和的成本優勢；

中美摩擦導致半導體人才回流，國家政策也更加重視半導體領域的支持；

功率半導體不參與先進制程競技，投資門檻略低于邏輯芯片，並且材料和設備國産化難度相對較低。

IGBT産業鏈

IGBT廠商在汽車産業鏈中扮演著至關重要的中遊角色。

它們不僅銜接了上遊的供應商與下遊的制造商，還對整個産業鏈的穩定運行和創新發展起到了關鍵的推動作用。

在IGBT産業鏈的上遊，主要包括材料供應商、設備供應商以及代工廠。這些企業爲IGBT廠商提供了原材料、生産設備和代加工服務，是IGBT生産不可或缺的支撐力量。

例如，日本信越、晶瑞股份在材料供應方面有著卓越的表現，而晶盛機電、日立科技則在設備供應和代工方面有著豐富的經驗。

此外，高塔、華虹等也是IGBT産業鏈上遊的重要參與者。

而在IGBT産業鏈的下遊，則主要包括Tier1廠商以及整車廠。

這些企業是IGBT産品的最終用戶，它們的需求和反饋直接影響著IGBT廠商的産品開發和市場布局。

因此，IGBT廠商需要密切關注下遊企業的需求變化，不斷調整和優化自己的産品策略。

國內IGBT産量不斷增加，自給率逐年上升。

近年來，隨著國家政策的大力推動和市場需求的不斷增長，中國IGBT産業得到了迅速發展。

目前，中國已經形成了IDM模式和代工模式的IGBT完整産業鏈，並且IGBT國産化的進程也在加快。

這意味著中國IGBT廠商將有望擺脫對進口産品的依賴，提高自主創新能力，進一步推動中國新能源汽車、軌道交通、智能電網等産業的發展。

(彙總相關企業，非推薦）

斯達半導：深耕于IGBT的研發和銷售，作爲國內IGBT行業的領軍企業，具備先進的IGBT芯片設計、模塊設計及制造工藝，産品競爭力不斷增長。

台基股份：公司的大功率IGBT已經量産，並持續跟蹤SiC、GaN等第三代寬禁帶半導體技術研發和應用。

揚傑科技：目前正在持續強化8寸MOS産品技術實力，市占率穩步提升，同時，公司積極推進IGBT新模塊産品的研發進程。

華微電子：在功率半導體器件的産品設計、工藝設計等方面積累深厚，已建立從高端二極管、單雙向可控硅、MOS系列産品到第六代IGBT國內最齊全、最具競爭力的功率半導體器件産品體系，逐步由單一器件供應商向整體解決方案供應商轉變。